碳化硅具有優良的熱力學和電化熱性能，隨著生產成本的降低，第一、二代的半導體正逐步被碳化硅所取代。目前，碳化硅是發展最成熟的第三代半導體原料。第三代半導體與前兩代環節一樣，主要分為設備、材料、晶圓、制造代工、封測、芯片、器件等。

    在半導體行業，碳化硅粉特有的高電子遷移率、高擊穿電場和優異的熱導率，使得它成為制造高頻、大功率、高溫和抗輻射電子器件的理想材料。例如，制造二極管和晶體管，能夠顯著提升電力電子系統的效率，降低能耗。

    碳化硅的主要用途為制造襯底晶片和外延片。將高純度碳化硅粉體在特殊工藝下生成碳化硅晶體，通過切割、研磨、拋光、清洗等工序，制成碳化硅襯底晶片。碳化硅襯底晶片經過外延生長、器件制造等環節，可制成碳化硅基功率器件和微波射頻器件。所以碳化硅襯底晶片是半導體產業的基礎材料，也是發展的核心。

    高純度的碳化硅粉可達到N6級別，即純度為99.9999%。碳化硅的物理性能優越，具有高電導率、高熱導率、高禁帶寬度、低通損耗，適用于半導體領域高功率半導體器件的制造。可見，碳化硅成為第三代半導體材料的典型代表也是無可厚非的。